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参数资料
| 型号： | BGF 110 E6327 |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MEMORY CARD PROTECT S-WLP-24 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 类型： | 滤波器，HSMMC，带 ESD 保护 |
| 应用： | HSMMC（高速多媒体卡） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | S-WLP-24 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | BGF110E6327XT SP000210963 |
BGF110
SD Card Interface ESD Protection
Data Sheet
7
V2.2, 2007-07-04
Figure 4
Line capacitance versus bias voltage
Package Outline
Figure 5
Package WLP-24-2
BGF110_Line_capacitance.vsd
Typical line capacitance C(U)
10.5
11.0
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
012345
6789
10
U [V]
C
(U
)[
pF]
GWLN1132
Corner Index Area
2)
Pin A1
0.6
0.2 ±0.05
STANDOFF
C
0.1
±0.05
24x
COPLANARITY
0.08 C
SEA
TING
PLANE
C
3)
0.4
4 x 0.4 = 1.6
±0.05
2
B
0.4
±0.05
2
A
4
x
0.4
=
1.6
24x
1)
±0.04
0.25
0.05 M A B
1) Dimension is measured at the maximum solder ball diameter, parallel to primary datum C
3) Primary datum C and seating plane are defined by the spherical crowns of the balls
2) Pin 1 corner identified by marking
A3
A2
A1
A4
A5
B2
B1
B4
B5
C3
C2
C1
C4
C5
D3
D2
D1
D4
D5
E3
E2
E1
E4
E5
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参数描述 |
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