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参数资料
| 型号： | BLT70 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 封装： | BLT70<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | BLT70 |
DATA SHEET
Product specification
1996 Feb 06
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BLT70
UHF power transistor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLT70 | UHF power transistor |
| BLT80 | UHF power transistor |
| BLT80 | UHF power transistor |
| BLT81 | UHF power transistor |
| BLT81 | UHF power transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BLT70 T/R | 功能描述:射频双极电源晶体管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| BLT70,115 | 功能描述:射频双极电源晶体管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| BLT71 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
| BLT71/8 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
| BLT71/8T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SO |
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