参数资料
| 型号： | BR24L04NUX-WTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 30/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 100KHZ VSON8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (512 x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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BR24L □□ -W Series,BR24S □□□ -W Series
○ Internal address increment
Page write mode (in the case of BR24S16-W)
Technical Note
WA7 -----
0 -----
0 -----
0 -----
WA4
0
0
0
WA3
0
0
0
WA2 WA1
0 0
0 0
0 1
WA0
0
1
0
0Eh
0
0
0
-----
-----
-----
0
0
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
0
1
0
Significant bit is fixed.
No digit up
For example, when it is started from address 0Eh, therefore, increment is made as below,
0Eh → 0Fh → 00h → 01h ??? , which please note.
* 0Eh ??? 16 in hexadecimal, therefore, 00001110 becomes a binary number.
○ Write protect (WP) terminal
? Write protect (WP) function
When WP terminal is set Vcc (H level), data rewrite of all address is prohibited. When it is set GND (L level), data rewrite of
all address is enabled. Be sure to connect this terminal to Vcc or GND, or control it to H level or L level. Do not use it open.
At extremely low voltage at power ON/OFF, by setting the WP terminal 'H', mistake write can be prevented.
During tWR, set the WP terminal always to 'L'. If it is set 'H', write is forcibly terminated.
www.rohm.com
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2009.09 - Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| BR24S08F-WE2 | IC EEPROM 8KBIT 100KHZ SOP8 |
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参数描述 |
|---|---|
| BR24L04-W | 功能描述:IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOP-J 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BR93L86FJ-WE2DKR |
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