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参数资料
| 型号： | BR24L16FVT-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP-B |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1379 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR24L16FVT-WE2DKR |
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BR24L □□ -W Series,BR24S □□□ -W Series
● Absolute maximum ratings (Ta=25 ℃ )
Technical Note
450 (SOP8)
Parameter
Impressed voltage
Permissible dissipation
Storage temperature range
Action temperature range
Terminal voltage
symbol
V CC
Pd
Tstg
Topr
-
Limits
-0.3 ～ +6.5
*1
450 (SOP-J8) *2
300 (SSOP-B8) *3
330 (TSSOP-B8) *4
310 (MSOP8) *5
310 (TSSOP-B8J) *6
300 (VSON008X2030) *7
-65 ～ +125
-40 ～ +85
-0.3 ～ Vcc+1.0
Unit
V
mW
℃
℃
V
When using at Ta=25 ℃ or higher, 4.5mW(*1,*2),
3.0mW(*3,*7) 3.3mW(*4),3.1mW(*5,*6) to be reduced per 1 ℃
● Memory cell characteristics (Ta=25 ℃ , Vcc=1.8 ～ 5.5V) *1
Parameter
Number of data rewrite times *2
Data hold years *2
Limits
Min. Typ.
1,000,000 -
40 -
Max.
-
-
Unit
Times
Years
○ Shipment data all address FFh
*1 BR24L02/16/32-W : 1.7~5.5V
*2 Not 100% TESTED
● Recommended operating conditions
Parameter
Power source voltage
Input voltage
Symbol
Vcc
V IN
Limits
1.8 ～ 5.5 *1
0 ～ Vcc
Unit
V
*1 BR24L02/16/32-W : 1.7~5.5V
● Electrical characteristics (Unless otherwise specified, Ta=-40 ～ +85 ℃ , V CC =1.8 ～ 5.5V) *1
Parameter Symbol
Limits
Min. Typ. Max.
Unit
Conditions
“HIGH” input voltage 1
V IH1
0.7Vcc
-
Vcc +1.0 *2
V
2.5 ≦ Vcc ≦ 5.5V
“LOW” input voltage 1
V IL1
-0.3
*2
-
0.3 Vcc
V
2.5 ≦ Vcc ≦ 5.5V
“HIGH” input voltage 2
“LOW” input voltage 2
V IH2
V IL2
0.8Vcc
-0.3 *2
-
-
Vcc +1.0
0.2 Vcc
*2
V
V
1.8 ≦ Vcc ＜ 2.5V
1.8 ≦ Vcc ＜ 2.5V
“HIGH” input voltage 3
“HIGH” input voltage 3
*3
*4
V IH3
V IH3
0.8Vcc
0.9Vcc
-
-
Vcc +1.0
Vcc +1.0
V
V
1.7 ≦ Vcc ＜ 1.8V
1.7 ≦ Vcc ＜ 1.8V
2.0
“LOW” input voltage 3 *2
“LOW” output voltage 1
“LOW” output voltage 2
Input leak current
Output leak current
Current consumption at
action
Standby current
V IL3
V OL1
V OL2
I LI
I LO
I CC1
I CC2
I SB
-0.3
-
-
-1
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1 Vcc
0.4
0.2
1
1
*5
3.0 *6
0.5
2.0
V
V
V
μ A
μ A
mA
mA
μ A
1.7 ≦ Vcc ＜ 1.8V
I OL =3.0mA, 2.5V ≦ Vcc ≦ 5.5V, (SDA)
I OL =0.7mA, 1.7V ≦ Vcc ＜ 2.5V, (SDA)
V IN =0V ～ Vcc
V OUT =0V ～ Vcc, (SDA)
Vcc=5.5V,fSCL=400kHz, tWR=5ms,
Byte write, Page write
Vcc=5.5V,fSCL=400kHz
Random read, current read,sequential read
Vcc=5.5V, SDA ? SCL=Vcc
A0, A1, A2=GND, WP=GND
◎ Radiation resistance design is not made.
*1 BR24L02/16/32-W : 1.7 ～ 5.5V, *2 BR24L16/32-W, *3 BR24L02/16-W, *4 BR24L32-W
*5 BR24L01A/02/04/08/16-W, *6 BR24L32/64-W
www.rohm.com
? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.09 - Rev.D
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BR24L16F-W | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC,Memory,EEPROM,Serial SOP8 2Kx8 SERIA |
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