参数资料
| 型号： | BR24L32FV-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 12/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8SSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SSOPB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1379 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR24L32FV-WE2DKR |
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BR24L □□ -W Series,BR24S □□□ -W Series
○ Internal address increment
Page write mode (in the case of BR24L02-W)
Technical Note
WA7 -----
WA4
WA3
WA2
WA1
WA0
0 -----
0 -----
0 -----
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
Increment
06h
0
0
0
-----
-----
-----
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
1
0
Significant bit is fixed.
No digit up
For example, when it is started from address 06h,therefore, increment is made as below,
06h → 07h → 00h → 01h ---, which please note.
＊
06h ??? 06 in hexadecimal, therefore, 00000110 becomes a binary number.
○ Write protect (WP) terminal
? Write protect (WP) function
When WP terminal is set Vcc (H level), data rewrite of all addresses is prohibited. When it is set GND (L level), data
rewrite of all address is enabled. Be sure to connect this terminal to Vcc or GND, or control it to H level or L level.
Do not use it open.
At extremely low voltage at power ON / OFF, by setting the WP terminal 'H', mistake write can be prevented.
During tWR, set the WP terminal always to 'L'. If it is set 'H', write is forcibly terminated.
www.rohm.com
? 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.09 - Rev.D
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| BR24L32F-W | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC,Memory,EEPROM,Serial SOP8 4Kx8 SERIA |
| BR24L32F-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 2 WIRE SERIAL 32K RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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