参数资料
| 型号： | BR25L020FVT-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 2KBIT 5MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 2K (256 x 8) |
| 速度： | 5MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP-B |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1379 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR25L020FVT-WE2DKR |
BR25L010-W, BR25L020-W, BR25L040-W, BR25L080-W, BR25L160-W, BR25L320-W, BR25L640-W
Characteristic data (The following characteristic data are Typ. values.)
Technical Note
6
5
4
6
5
4
1
0.8
3
SPEC
3
T a=85? C
T a=25? C
0.6
Ta=85?C
2
2
T a=-40? C
0.4
SPEC
Ta=25?C
1
Ta=85?C
Ta=25?C
Ta=-40?C
1
SPEC
0.2
T a=-40? C
0 0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
V CC [V]
Fig.6 "H" input voltage VIH(CS,SCK,SI,HOLD,WP)
2
V CC [V]
Fig.7 "L" input voltage VIL(CS,SCK,SI,HOLD,WP)
1
2.6
IOL[mA]
Fig.8 "L" output voltage VOL-IOL(V CC =1.8V)
T a=-40? C
1.8
Ta=-40?C
0.8
0.6
2.4
1.6
Ta=25?C
SPEC
2.2
Ta=25?C
SPEC
T a=85? C
0.4
Ta=85?C
T a=25? C
SPEC
Ta=85?C
1.4
0.2
Ta=-40?C
2
1.2
0
1.8
0
0.4
0.8
0
1
2
3
4
5
0
0.4
0.8
IOH[mA]
Fig.9 "H" output voltage VOH-IOH(V CC =1.8V)
IOL[mA]
Fig.10 "L" output voltage VOL-IOL(V CC =2.5V)
IOH[mA]
Fig.11 "H" output voltage VOH-IOH(V CC =2.5V)
V CC =2.5V 2mA
1.2
SPEC
1.2
SPEC
4
fSCK=5MHz
V CC =5.5V 3mA
1
1
DATA=55h
SPEC
3
0.8
0.8
S PE C
0.8
0.4
Ta=85?C
Ta=25?C
0.6
0.4
T a=85? C
T a=25? C
2
1
Ta=-40?C
Ta=25?C
0.2
T a=-40? C
0.2
Ta=-40?C
Ta=85?C
0
0
1
2
3
4
6
5
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V CC [V]
Fig.12 Input leak current ILI(CS,SCK,SI,WP,HOLD)
V CC [V]
Fig.13 Output leak current ILO(SO)
V CC [V]
Fig.14 Current consumption at WRITE operation
ICC1,2,3(WRITE,PAGE WRITE,WRSR,fSCK=5MHz)
BR25L010-W,BR25L020-W,BR25L040-W
Vcc=2.5V 1.5mA
2.5
Vcc=5.5V 2.0mA
2.5
100
fSCK=5MHz
DATA=55h
SPEC
SPEC
Ta= -40? C
Ta=25?C
2
2
SPEC
10
Ta=85?C
1.5
Ta=-40?C
Ta=25?C
1.5
S PE C
1
1
1
S PE C
0.5
Ta=85?C
0.5
Ta=85?C
Ta=25?C
Ta= -40?C
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
0.1
0
1
2
3
4
5
6
V CC [V]
Fig.15 Consumption current at READ operation
ICC4,5(READ,WRSR,fSK=5MHz)
250
S PE C
200
150
V CC [V]
Fig.16 Consumption current at standby operation ISB
250
SPEC
200
150
250
200
150
V CC [V]
Fig.17 SCK frequency fSCK
S PE C
S PE C
100
SPEC
100
SPEC
100
50
Ta= -40?C
T a=85?C
Ta=25?C
50
Ta=25?C
T a= -40? C
50
T a=85?C
Ta=25?C
Ta= -40?C
Ta=85?C
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V CC [V]
Fig.18 tSCK high time tSCKWH
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
V CC [V]
Fig.19 SCK low time tSCKWL
4/16
V CC [V]
Fig.20 CS high time tCS
2010.07 - Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A3P1000-1FG256T | IC FPGA 1KB FLASH 1M 256-FBGA |
| A54SX72A-FGG484 | IC FPGA SX-A 108K 484-FBGA |
| A54SX72A-FG484 | IC FPGA SX-A 108K 484-FBGA |
| APA450-FGG144I | IC FPGA PROASIC+ 450K 144-FBGA |
| APA450-FG144I | IC FPGA PROASIC+ 450K 144-FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR25L020FV-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:SPI BUS 2Kbit (256 x 8bit) EEPROM |
| BR25L020FV-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SPI 2K BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR25L020F-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:SPI BUS 2Kbit (256 x 8bit) EEPROM |
| BR25L020FWE2 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:EEPROM,SPI BUS,2kb,x8,SOP8 |
| BR25L020F-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SPI 2K BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。