参数资料
| 型号： | BR25L080FVT-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 14/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 8KBIT 5MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 5MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP-B |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1379 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR25L080FVT-WE2DKR |
BR25L010-W, BR25L020-W, BR25L040-W, BR25L080-W, BR25L160-W, BR25L320-W, BR25L640-W
Equivalent circuit
Output circuit
SO
OEint.
Fig.57 SO output equivalent circuit
Input circuit
RESET int.
CS
Fig.58 CS input equivalent circuit
Technical Note
SCK
HOLD
Fig.59 SCK input equivalent circuit
Fig.61 HOLD input equivalent circuit
SI
WP
Fig.60 SI input equivalent circuit
Fig.62 WP input equivalent circuit
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.07 - Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCC60DRYS-S734 | CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD |
| FMC19DRXN-S734 | CONN EDGECARD 38POS DIP .100 SLD |
| FMC18DRXI-S734 | CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD |
| BR24S64FVT-WE2 | IC EEPROM 64KBIT 400KHZ 8TSSOP |
| FMC19DRXH-S734 | CONN EDGECARD 38POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR25L080FV-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:SPI BUS 8Kbit (1,024 x 8bit) EEPROM |
| BR25L080FV-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SPI 8K BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR25L080F-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:SPI BUS 8Kbit (1,024 x 8bit) EEPROM |
| BR25L080F-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SPI 8K BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR25L080-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:SPI BUS Serial EEPROMs |
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