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参数资料
| 型号： | BR93L46RFVJ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 6/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM MICROWIRE 1KBIT 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 1K (64 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP-BJ |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BR93L46RFVJ-WE2DKR |
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BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
● BR93L □□ -W Characteristic data (The following characteristic data are Typ. values.)
Technical Note
Fig.2 H output voltage VIH(CS,SK,DI)
Fig.3 H input voltage VIL(CS,SK,DI)
Fig.4
L output voltage VOL-IOL(Vcc=1.8V)
Fig.5 L output voltage VOL-IOL(Vcc=2.5V)
Fig.6 L output voltage VOL-IOL(Vcc=4.0V)
Fig.7 H output voltage VOH-IOH(Vcc=1.8V)
Fig.8 H output voltage VOH-IOH(Vcc=2.5V)
Fig.9 H output voltage VOH-IOH(Vcc=4.0V)
Fig.10
Input leak current ILI(CS,SK,DI)
Fig.11 Output leak current ILO (DO)
Fig.12
Current consumption at WRITE action
ICC1 (WRITE, fSK=2MHz)
Fig.13 Consumption current at READ action
ICC2 (READ, fSK=2MHz)
Fig.14
Consumption current at WRAL action
Fig.15 Current consumption at WRITE action
Fig.16 Consumption current at READ action
ICC3 (WRAL, fSK=2MHz)
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
ICC1 (WRITE, fSK=500kHz)
6/40
ICC2 (READ, fSK=500kHz)
2011.09 - Rev.G
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PDF描述 |
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| BR34L02FVT-WE2 | IC EEPROM I2C SPD 2KB 8-TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BR93L46RFVM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
| BR93L46RFVM-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Microwire BUS 1Kbit(64 x 16bit) EEPROM |
| BR93L46RFVM-WE2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series |
| BR93L46RFVM-WTR | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 64X16 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR93L46RFVT-W | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Memory,EEPROM,1kb(X16),Microwire,TSSOP8 |
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