参数资料
| 型号： | BR93L56RFVM-WTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8MSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 2K (128 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR93L56RFVM-WDKR |
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BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
● Action timing characteristics
(BR93L □□ -W, Ta=-40 ～ +85 ℃ , VCC=2.5 ～ 5.5V, BR93A □□ -WM, Ta=-40 ～ +105 ℃ , VCC=2.5 ～ 5.5V)
Technical Note
Parameter Symbol
2.5V ≦ VCC ≦ 5.5V
Min. Typ. Max.
Unit
SK frequency
SK “H” time
SK “L” time
CS “L” time
CS setup time
DI setup time
CS hold time
DI hold time
Data “1” output delay time
Data “0” output delay time
Time from CS to output establishment
Time from CS to High-Z
Write cycle time
(BR93L □□ -W, Ta=-40 ～ +85 ℃ , VCC=1.8 ～ 2.5V)
f SK
t SKH
t SKL
t CS
t CSS
t DIS
t CSH
t DIH
t PD1
t PD0
t SV
t DF
t E/W
- - 2 MHz
230 - - ns
230 - - ns
200 - - ns
50 - - ns
100 - - ns
0 - - ns
100 - - ns
- - 200 ns
- - 200 ns
- - 150 ns
- - 150 ns
- - 5 ms
Parameter
SK frequency
SK “H” time
SK “L” time
CS “L” time
CS setup time
DI setup time
CS hold time
DI hold time
Data “1” output delay time
Data “0” output delay time
Time from CS to output establishment
Time from CS to High-Z
Write cycle time
Symbol
f SK
t SKH
t SKL
t CS
t CSS
t DIS
t CSH
t DIH
t PD1
t PD0
t SV
t DF
t E/W
Min.
-
0.8
0.8
1
200
100
0
100
-
-
-
-
-
1.8V ≦ VCC ≦ 2.5V
Typ. Max.
- 500
- -
- -
- -
- -
- -
- -
- -
- 0.7
- 0.7
- 0.7
- 200
- 5
Unit
kHz
us
us
us
ns
ns
ns
ns
us
us
us
ns
ms
● Sync data input / output timing
CS
tCSS
tSKH
tSKL
tCSH
SK
DI
tDIS
t PD0
tDI H
tPD1
DO(READ)
tDF
DO(WRITE)
STATUS VALID
Fig.1 Sync data input / output timing
○ Data is taken by DI sync with the rise of SK.
At read action, data is output from DO in sync with the rise of SK.
○ The status signal at write (READY / BUSY) is output after tCS from the fall of CS after write command input, at the area
DO where CS is “H”, and valid until the next command start bit is input. And, while CS is “L”, DO becomes High-Z.
○ After completion of each mode execution, set CS “L” once for internal circuit reset, and execute the following action mode.
www.rohm.com
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2011.09 - Rev.G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BR24L01AFVM-WTR | IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8MSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR93L56RFVM-WW | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
| BR93L56RFVT-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Microwire BUS 2Kbit(128 x 16bit) EEPROM |
| BR93L56RFVT-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 MICROWIRE 2K BIT 128X16 2.5V/3.3V/5V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR93L56RFV-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Microwire BUS 2Kbit(128 x 16bit) EEPROM |
| BR93L56RFV-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 128X16 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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