参数资料
| 型号： | BR93L66FVT-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (256 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP-B |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR93L66FVT-WE2DKR |
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BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
Technical Note
● BR93L □□ -W
Characteristic data (The following characteristic data are Typ. values.)
Fig.17
Consumption current at WRAL action
Fig.18
Consumption current at standby action ISB
Fig.19 SK frequency fSK
ICC3 (WRAL, fSK=500kHz)
Fig.20
Fig.23
SK high time tSKH
CS hold time tCSH
Fig.21
Fig.24
SK low time tSKL
CS setup time tCSS
Fig.22
Fig.25
CS low time tCS
DI hold time tDIH
Fig.26
DI setup time tDIS
Fig.27
Data “0” output delay time tPD0
Fig.28
Output data “1” delay time tPD1
Fig.29 Time from CS to output establishment tSV
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Fig.30 Time from CS to High-Z tDF
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Fig.31 Write cycle time tE/W
2011.09 - Rev.G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR93L66FV-W | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:EEPROM,4kb,256Wx16b,Microwire Bus,SSOP8 |
| BR93L66FV-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 256X16 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR93L66F-W | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC,Memory,EEPROM,Serial SOP8 256x16 SER |
| BR93L66F-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 256X16 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR93L66RF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
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