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参数资料
| 型号： | BR93L66RFVJ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ TSSOP-B8J |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (256 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
Technical Note
● BR93L □□ -W
Characteristic data (The following characteristic data are Typ. values.)
Fig.17
Consumption current at WRAL action
Fig.18
Consumption current at standby action ISB
Fig.19 SK frequency fSK
ICC3 (WRAL, fSK=500kHz)
Fig.20
Fig.23
SK high time tSKH
CS hold time tCSH
Fig.21
Fig.24
SK low time tSKL
CS setup time tCSS
Fig.22
Fig.25
CS low time tCS
DI hold time tDIH
Fig.26
DI setup time tDIS
Fig.27
Data “0” output delay time tPD0
Fig.28
Output data “1” delay time tPD1
Fig.29 Time from CS to output establishment tSV
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Fig.30 Time from CS to High-Z tDF
7/40
Fig.31 Write cycle time tE/W
2011.09 - Rev.G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BR93L66RFVT-W | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Memory,EEPROM,4kb(X16),Microwire,TSSOP8 |
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