参数资料
| 型号： | BR93L86FJ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 31/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 16KBIT 2MHZ 8SOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 16K (1K x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP-J |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR93L86FJ-WE2DKR |
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BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
2) Equivalent circuit
○ Output circuit
DO
OEint.
Fig.36 Output circuit (DO)
○ Input circuit
Technical Note
RESET int.
TEST1
(TEST)
TESTint.
CS
LPF
CSint.
EN
Fig.37 Input circuit (CS)
Fig.38
Input circuit (TEST1, TEST)
EN
TEST2
3)
SK
DI
Fig.39
I/O peripheral circuit
Input circuit (SK, DI)
LPF
SK(DI)int.
Fig.40 Input circuit (TEST2)
3-1) Pull down CS.
By making CS=“L” at power ON/OFF, mistake in operation and mistake write are prevented.
Refer to the item 6) Notes at power ON/OFF in page 34/35.
○ Pull down resistance Rpd of CS pin
To prevent mistake in operation and mistake write at power ON/OFF, CS pull down resistance is necessary.
Select an appropriate value to this resistance value from microcontroller VOH, IOH, and VIL characteristics of this IC.
Rpd ≧
VOHM
IOHM
???①
Microcontroller
EEPROM
VOHM ≧
VIHE
???②
Example) When V CC =5V, VIHE=2V, VOHM=2.4V, IOHM=2mA,
VOHM
VIHE
from the equation ① ,
2 × 10
“H” output
IOHM
Rpd
“L” input
Rpd ≧
2.4
-3
∴
Rpd ≧
1.2 [k Ω ]
With the value of Rpd to satisfy the above equation, VOHM becomes
2.4V or higher, and VIHE (=2.0V), the equation ② is also satisfied.
Fig.41 CS pull down resistance
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? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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? VIHE
? VOHM
? IOHM
: EEPROM VIH specifications
: Microcontroller VOH specifications
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2011.09 - Rev.G
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