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参数资料
| 型号： | BS107PSTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 200V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 欧姆 @ 100mA，5V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – SEPT 93
FEATURES
* 200 Volt V DS
* R DS(on) =23 ?
BS107P
REFER TO BS107PT FOR GRAPHS
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
200
0.12
2
± 20
500
-55 to +150
UNIT
V
A
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C)
PARAMETER
Drain-Source
Breakdown Voltage
Gate Body Leakage
Drain Cut-Off Current
Drain Cut-Off Current
Static Drain-Source
on-State Resistance
SYMBOL
BV DSS
I GSS
I DSS
I DSX
R DS(on)
MIN.
200
TYP.
230
15
MAX.
10
30
1
23
30
UNIT
V
nA
nA
μ A
?
?
CONDITIONS.
I D =100 μ A, V GS =0V
VGS=15V, V DS =0V
V GS =0V, V DS =130V
V GS =0.2V, V DS =70V
V GS =2.6V, I D =25mA*
V GS =5V, I D =100mA*
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
3-23
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 88BA2 | KEYPAD 16KEY 2OF 7 CODE BLK |
| 88BA2-072 | KEYPAD 16 KEY W/LEGEND MATRIXOUT |
| BB25AV-HA | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| B32529C1472K189 | CAP FILM 4700PF 100VDC RADIAL |
| 1A50 | CAP SWITCH METAL DARKBLUE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BS107PSTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS107PSTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS107PT | 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS107PTSTOA | 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS107PTSTOB | 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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