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参数资料
| 型号： | BS108ZL1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 100mA，2.8V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BS108ZL1GOSCT |
BS108
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0, I D = 10 m A)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DSS = 130 Vdc, V GS = 0)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = 15 Vdc, V DS = 0)
V (BR)DS
I DSS
I GSSF
200
?
?
?
?
?
?
?
30
10
Vdc
nAdc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage
(I D = 1.0 mA, V DS = V GS )
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = 2.0 Vdc, I D = 50 mA)
(V GS = 2.8 Vdc, I D = 100 mA)
Drain Cutoff Current
(V GS = 0.2 V, V DS = 70 V)
Forward Transconductance
(I D = 120 mA, V DS = 20 V)
V GS(th)
r DS(on)
I DSX
g FS
0.5
?
?
?
?
?
?
?
?
0.33
1.5
10
8.0
25
?
Vdc
W
m A
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(V DS = 25 V, V GS = 0, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
(V DS = 25 V, V GS = 0, f = 1.0 MHz)
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = 25 V, V GS = 0, f = 1.0 MHz)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
?
?
?
150
30
10
pF
pF
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn ? On Time (See Figure 1)
Turn ? Off Time (See Figure 1)
t d(on)
t d(off)
?
?
?
?
15
15
ns
ns
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle = 2.0%.
RESISTIVE SWITCHING
+25 V
23
TO SAMPLING SCOPE
50 W INPUT
t on
t off
PULSE GENERATOR
V in
40 pF
20 dB
50 W ATTENUATOR
V out
90%
90%
50
50
1.0 M
OUTPUT
INVERTED
V out
10%
90%
10 V
50%
PULSE
50%
INPUT
V in
10%
WIDTH
Figure 1. Switching Test Circuit
http://onsemi.com
2
Figure 2. Switching Waveforms
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