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参数资料
| 型号： | BS170G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-92 Pkg |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BS170G-ND BS170GOS |
BS170G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Gate Reverse Current
(V GS = 15 Vdc, V DS = 0)
Drain ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0, I D = 100 m Adc)
I GSS
V (BR)DSS
?
60
0.01
90
10
?
nAdc
Vdc
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 1.0 mAdc)
Static Drain ? Source On Resistance
(V GS = 10 Vdc, I D = 200 mAdc)
Drain Cutoff Current
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0 Vdc)
Forward Transconductance
(V DS = 10 Vdc, I D = 250 mAdc)
V GS(Th)
r DS(on)
I D(off)
g fs
0.8
?
?
?
2.0
1.8
?
200
3.0
5.0
0.5
?
Vdc
W
m A
mmhos
SMALL ? SIGNAL CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(V DS = 10 Vdc, V GS = 0, f = 1.0 MHz)
C iss
?
?
60
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn ? On Time
(I D = 0.2 Adc) See Figure 1
Turn ? Off Time
(I D = 0.2 Adc) See Figure 1
t on
t off
?
?
4.0
4.0
10
10
ns
ns
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2.0%.
ORDERING INFORMATION
BS170G
BS170RLRAG
Device
Package
TO ? 92 (TO ? 226)
(Pb ? Free)
TO ? 92 (TO ? 226)
Shipping ?
1000 Unit/Tube
2000 Tape & Reel
(Pb ? Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
|---|---|
| GDS0804 | SWITCH DIP LOW PROFILE 8POS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BS170KL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| BS170KL-TR1 | 功能描述:MOSFET 60V 0.47A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS170KL-TR1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 0.47A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS170L | 制造商:CALOGIC 制造商全称:CALOGIC 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor |
| BS170P | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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