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参数资料
| 型号： | BS170RLRAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-92 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BS170RLRAGOSCT |
BS170G
RESISTIVE SWITCHING
+25 V
V in
125 W
TO SAMPLING SCOPE
t on
t off
PULSE GENERATOR
50 W
50 W
40 pF
1.0 M W
20 dB
50 W ATTENUATOR
50 W INPUT
V out
OUTPUT
INVERTED
V out
90%
10%
90%
10%
50%
(V in Amplitude 10 Volts)
INPUT
V in
PULSE
WIDTH
2.0
Figure 1. Switching Test Circuit
V DS = V GS
2.0
Figure 2. Switching Waveforms
V GS = 10 V
1.6
I D = 1.0 mA
1.6
9.0 V
8.0 V
1.2
0.8
0.4
1.2
0.8
0.4
7.0 V
6.0 V
5.0 V
4.0 V
0
50
0 50
100
150
0
1.0 2.0 3.0
4.0
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. V GS(th) Normalized versus Temperature
V DS , DRAIN - TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. On ? Region Characteristics
2.0
V GS = 10 V
100
1.6
9.0 V
80
V GS = 0 V
8.0 V
1.2
7.0 V
60
0.8
6.0 V
40
C iss
0.4
5.0 V
4.0 V
20
C oss
C rss
0
10
20
30
40
0
10 20 30 40 50
60
V DS , DRAIN - TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Output Characteristics
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN - TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance versus
Drain ? To ? Source Voltage
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| BS170RLRM | 功能描述:MOSFET 60V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS170RLRMG | 功能描述:MOSFET 60V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS170RLRP | 功能描述:MOSFET 60V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS170RLRPG | 功能描述:MOSFET 60V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS170T/R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-92 |
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