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参数资料
| 型号： | BS250FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 330mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BS250FDKR |
BS250F
TYPICAL CHARACTERISTICS
120
100
80
60
40
20
0
Note:V DS= -10V
120
100
80
60
40
20
0
Note:V DS= -10V
0 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9 -1.0
0 -1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
60
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
2
50
Note:V GS= 0V
1
Note:I D=- 0.2A
40
f=1MHz
0
-2
30
20
10
C iss
C oss
C rss
-4
-6
-8
-10
-12
V DS =
-20V -40V -60V
-14
0
-16
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
0
0.5
1.0
1.5
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3 - 57
Q-Gate Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0638655101 | TERMINAL HOLD DOWN |
| 3784-60-0 | MINIGRABBER/MINI BANANA 60" BLK |
| 3784-48-2 | MINIGRABBER/MINI BANANA 48" RED |
| 3784-48-0 | MINIGRABBER/MINI BANANA 48" BLK |
| 3784-12-2 | MINIGRABBER/MINI BANANA 12" RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BS250FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:BS250F Series 45 V 14 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 |
| BS250FTC | 功能描述:MOSFET P-Chnl 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS250KL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| BS250KL-TR1 | 功能描述:MOSFET 60V 0.27A 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS250KL-TR1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 0.27A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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