- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18382 > BS250PSTOA (Diodes Inc)MOSFET P-CHAN 45V TO92-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BS250PSTOA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 45V TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 ? SEPT 93
FEATURES
* 45 Volt V DS
* R DS(on) =14 ?
BS250P
G
D
S
REFER TO ZVP2106A FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
E-Line
TO92 Compatible
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-45
-230
-3
± 20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C).
PARAMETER
Drain-Source
Breakdown Voltage
Gate-Source
Threshold Voltage
SYMBOL
BV DSS
V GS(th)
MIN.
-45
-1
TYP.
MAX.
-3.5
UNIT
V
V
CONDITIONS.
I D =-100 μ A, V GS =0V
I D =-1mA, V DS =V GS
Gate Body Leakage
Zero Gate Voltage
Drain Current
Static Drain-Source
on-State Resistance (1)
Forward
Transconductance (1)(2)
Input Capacitance (2)
Turn-On Time (2)(3)
Turn-Off Time (2)(3)
I GSS
I DSS
R DS(on)
g fs
C iss
t (on)
t (off)
150
60
-20
-500
14
20
20
nA
nA
?
mS
pF
ns
ns
VGS=-15V, V DS =0V
V GS =0V, V DS =-25V
V GS =-10V, I D =-200mA
V DS =-10V, I D =-200mA
V GS =0V, V DS =-10V
f=1MHz
V DD ≈ -25V, I D =-500mA
(1) Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test
(3) Switching times measured with a 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
3-28
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445W33E24M57600 | CRYSTAL 24.57600 MHZ 20PF SMD |
| 445W2XL14M31818 | CRYSTAL 14.31818 MHZ 12PF SMD |
| FFAT96 | FERRITE TUBING 6.0MM DIA 1MTR LO |
| FXO-HC735-9.984 | OSC 9.984 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| B32562J6104K | FILM CAP 0.1UF 10% 400V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BS250PSTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS250PSTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BS250S | 制造商:EGS ELECTRICAL GROUP 功能描述:2-1/2&3 IN STL COND BDY CVR |
| BS25-3W | 制造商:Molex 功能描述: |
| BS2540-7R | 功能描述:EURO-CASSETTE 100W 2X 15V RoHS:否 类别:电源 - 外部/内部（非板载） >> DC DC Converters 系列:* 标准包装:1 系列:Quint 类型:隔离 输入电压:24V 输出:24V 输出数:1 输出 - 1 @ 电流（最大）:24 VDC @ 50A 输出 - 2 @ 电流（最大）:- 输出 - 3 @ 电流（最大）:- 输出 - 4 @ 电流（最大）:- 功率（瓦特）:1200W 安装类型:底座安装 工作温度:0°C ~ 40°C 效率:- 封装/外壳:模块 尺寸/尺寸:4.33" L x 9.09" W x 6.14" H（110mm x 231mm x 156mm） 包装:散装 电源（瓦特）- 最大:1200W 批准:- 其它名称:277-69722866365-NDQUINT-BAT/24DC/12AH |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。