参数资料
型号: BS870-7-F
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
产品变化通告: Encapsulate Change 15/May/2008
Copper Bond Wire Change 3/May/2011
产品目录绘图: SOT-23 Package Top
SOT-23 Package Side 1
SOT-23 Package Side 2
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 250mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 欧姆 @ 200mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V
功率 - 最大: 300mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: BS870-FDIDKR
BS870
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
B
0.37 0.51 0.40
1.20 1.40 1.30
H
B C
C
D
F
G
H
J
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
K
K1
M
K
K1
0.903 1.10 1.00
- - 0.400
J
F
G
D
L
L
M
0.45 0.61 0.55
0.085 0.18 0.11
??
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
BS870
Document number: DS11302 Rev. 18 - 2
X
E
C
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www.diodes.com
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C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
August 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述
FXO-HC536R-33.33333 OSC 33.33333 MHZ 3.3V HCMOS SMD
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TXM-900-HP3-PPS TRANSMTR RF 900MHZ 8PAR/120SRLCH
TXM-900-HP3SPO XMITTER RF 900MHZ 8-CH SMD
V-15519-7A5 SWITCH BASIC 15A HINGE ROLLER
相关代理商/技术参数
参数描述
BS870TA 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BS870TC 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BS88 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SEMICONDUCTOR PROTECTION FUSES
BS-8928-14H 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:EMI BAND FAMILY 1914 - Bulk
BS8A5 制造商:EDAL 制造商全称:EDAL 功能描述:SILICON FAST RECOVERY 2.0 AMP DIODES