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参数资料
| 型号： | BSC034N03LSCG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 22 A, 30 V, 0.0051 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 380K |
| 代理商： | BSC034N03LSCG |
BSC034N03LS G
Package Outline
PG-TDSON-8: Tape
Dimensions in mm
Rev. 1.1
page 9
2009-09-03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSC084P03NS3G | 14.9 A, 30 V, 0.0084 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| BSF030NE2LQ | 24 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| BSZ086P03NS3EG | 13.5 A, 30 V, 0.0134 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| BT485AKHJ170 | 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84 |
| BT485AKPJ135 | 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSC034N03LSG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BSC034N03LSGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 |
| BSC034N06NSATMA1 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 41μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 |
| BSC035N04LS G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSC035N04LSG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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