型号: | BSC072N025SG |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 6/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BSC072N025SG |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSC072N025SGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin TDSON EP |
BSC072N03LD G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 30V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
BSC072N03LDG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
BSC072N03LDGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8 |
BSC072N08NS5ATMA1 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):74A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.2 毫欧 @ 37A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 36μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2100pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 |