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参数资料
| 型号： | BSC084P03NS3G |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 14.9 A, 30 V, 0.0084 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | BSC084P03NS3G |
BSC084P03NS3 G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I D=f(V DS); T j=25 °C
R DS(on)=f(I D); T j=25 °C
parameter: V GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max
g fs=f(I D); T j=25 °C
parameter: T j
-4.0 V
-4.5V
-5.0 V
-3.5 V
-6.0 V
-10 V
0
5
10
15
20
25
30
0
10
203040
-I D [A]
R
DS
(on)
[m
]
25 °C
150 °C
0
10
20
30
40
50
60
0123
456
-V GS [V]
-I
D
[A]
0
20
40
60
80
0
1020
3040
50
-I D [A]
g
fs
[S]
-4.0 V
-4.5 V
-5.0 V
-3.5 V
-6.0 V
-10 V
0
10
20
30
40
50
60
70
01
23
-V DS [V]
-I
D
[A]
Rev. 2.1
page 5
2009-11-16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSF030NE2LQ | 24 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| BSZ086P03NS3EG | 13.5 A, 30 V, 0.0134 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| BT485AKHJ170 | 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84 |
| BT485AKPJ135 | 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84 |
| BT68561AKPJ | 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSC084P03NS3GATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 |
| BSC085N025S | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| BSC085N025S G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| BSC085N025SG | 功能描述:MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSC085N025SG_09 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor |
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