型号: | BSM15GD60DN2 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 5/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BSM15GD60DN2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BAT68-03W | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSM15GP120 | 功能描述:IGBT 模块 1200V 15A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
BSM15GP120_B2 | 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 35A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
BSM15GP60 | 功能描述:IGBT 模块 600V 15A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
BSM15GP602 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:IGBT Module |
BSM180D12P2C101 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE: 1200V, 180A (NO DIODE) - Bulk 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE POWER SIC 1200V 180 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE POWER SIC 1200V 180A 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:180A, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, Threshold Voltage Vgs:2.7V, Power Dissipation Pd:1.13kW, Operating Temperature Min:-40C, Operating |