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参数资料
| 型号： | BSM25GD100D |
| 厂商： | SIEMENS A G |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE |
| 中文描述： | 25 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | BSM25GD100D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BST-110-13-L-D-230-RA | 20 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
| BST-127-08-G-D230-RA | 54 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
| BST-126-08-G-D-230-RA | 52 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
| BST-126-08-T-D-230-RA | 52 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
| BST-126-09-G-D-230-RA | 52 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSM25GD120D | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| BSM25GD120D2 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
| BSM25GD120DLCE3224 | 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| BSM25GD120DLCE3224XXX | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BSM25GD120DN2 | 功能描述:IGBT 模块 1200V 25A FL BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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