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参数资料
| 型号： | BSM50GB170DN2 |
| 元件分类： | 开关 |
| 英文描述： | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 525K |
| 代理商： | BSM50GB170DN2 |
A-82
APEM
www.apem.com
12000X778 series
High performance toggle switches - threaded bushing 11,9 (15/32)
Fully sealed - matt black
A
Straight PC terminals - four pole L
Straight PC terminals - three pole L
Straight PC terminals - double pole L
I
II
III
12246 X778
ON
-
ON
I
II
III
12256 X778
ON
-ON
I
II
III
12266 X778
ON
-
ON
PANEL CUT
-OUT
STANDARD HARDWARE
Hex nut
U41
(matt black)
Positions and connections, see next page.
L
Models with straight PC terminals are also available with 3,5 mm (.138) short
terminals, functions 6, 9, 7 and 8
. On request.
Flat
(.681)
(.409)
(.594)
(.
6
2
9
)
(.629)
24
(15/32-32UNS)
EPOXY
(.
1
5
7
)
I
II
III
15.10
17.30
10.40
16.00
11.90-32UNS
4
.0
0
1
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.0
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2
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D
IA
)
(.338)
(.
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)
(.
2
3
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(.
2
3
6
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1
.0
0
6
.0
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6
.0
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1.50
(.059)
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(15/32-32UNS)
11.90-32UNS
(.
2
3
6
D
IA
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EPOXY
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II
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11.9-32UNS
(15/32-32UNS)
14.00
2.30
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| BSM50GD120DLC | 功能描述:IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| BSM50GD120DN2 | 功能描述:IGBT 模块 1200V 50A FL BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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