型号: | BSM75GB170DN2 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 5/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BSM75GB170DN2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSM75GB170DN2HOSA1 | 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 110A 625W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:上次购买时间 IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.9V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Vce 时的输入电容(Cies):11nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 |
BSM75GB60DL | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
BSM75GB60DLC | 功能描述:IGBT 模块 600V 75A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
BSM75GB60DLCHOSA1 | 功能描述:IGBT MODULE 600V 100A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:355W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 |
BSM75GD120DLC | 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 125A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |