型号: | BSO080P03NS3E G |
厂商: | Infineon Technologies |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO |
标准包装: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 8 毫欧 @ 14.8A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.9V @ 150µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 81nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 6750pF @ 15V |
功率 - 最大: | 1.6W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | PG-DSO-8 |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | BSO080P03NS3E GDKR |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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