型号: | BSO080P03S H |
厂商: | Infineon Technologies |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 |
标准包装: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 12.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 8 毫欧 @ 14.9A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 136nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 5890pF@ 25V |
功率 - 最大: | 1.79W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | P-DSO-8 |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | BSO080P03S HDKR |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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