| 型号: | BSO130N03MS G |
| 厂商: | Infineon Technologies |
| 文件页数: | 1/5页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8 |
| 产品目录绘图: | Mosfets DSO-8 |
| 标准包装: | 1 |
| 系列: | OptiMOS™ |
| FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 9A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 13 毫欧 @ 11.1A,10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1300pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 1.56W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装: | PG-DSO-8 |
| 包装: | 标准包装 |
| 其它名称: | BSO130N03MS GDKR |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSO130N03MSGXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8 |
| BSO130P03S | 功能描述:MOSFET P-Channel -30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSO130P03S H | 功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSO130P03SH | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BSO130P03SHXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.2A DSO-8 |