型号: | BSO211P H |
厂商: | Infineon Technologies |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO |
标准包装: | 2,500 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 67 毫欧 @ 4.6A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.2V @ 25µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1095pF @ 15V |
功率 - 最大: | 1.6W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | PG-DSO-8 |
包装: | 带卷 (TR) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSO220N | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS-R Small-Signal-Transistor |