| 型号: | BSO215C |
| 厂商: | Infineon Technologies |
| 文件页数: | 2/5页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC |
| 产品变化通告: | BSO215C Discontinuation 16/Mar/2004 |
| 标准包装: | 2,500 |
| 系列: | SIPMOS® |
| FET 型: | N 和 P 沟道 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3.7A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 100 毫欧 @ 3.7A,10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 10µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 11.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 246pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 2W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装: | 8-SO |
| 包装: | 带卷 (TR) |
| 其它名称: | BSO215CINTR |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX20N120P | MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 |
| 1M1-DP1-R6/2-2M1GE | SWITCH ROCKER DPDT 5A 125V |
| F1200CA06 | FILTER POWER ENTRY 6A IEC |
| IXFK32N60 | MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA |
| FXO-PC728-200 | OSC 200 MHZ 2.5V PECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSO220N | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS-R Small-Signal-Transistor |
| BSO220N03MD G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSO220N03MDG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BSO220N03MDGXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8 |
| BSO220N03MS G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |