型号: | BSO220N03MD G |
厂商: | Infineon Technologies |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8 |
产品目录绘图: | Mosfets DSO-8 |
标准包装: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 22 毫欧 @ 7.7A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2.1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 800pF @ 15V |
功率 - 最大: | 1.4W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | PG-DSO-8 |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | BSO220N03MD GDKR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
34ADP23B1M1QT | TOG MINI DPDT O-N-O T SL LF |
FXO-LC735-270 | OSC 270 MHZ 3.3V LVDS SMD |
FXO-LC735-271 | OSC 271 MHZ 3.3V LVDS SMD |
34ADP15B9M1QT | TOG MINI DPDT O-N-O SP SL LF |
34ADP13B1M1QT | TOG MINI DPDT O-N-O T SL LF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
BSO220N03MDGXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8 |
BSO220N03MS G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
BSO220N03MSG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
BSO220N03MSGXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8 |
BSO300N03S | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |