型号: | BSO303SP |
厂商: | Infineon Technologies |
文件页数: | 4/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
标准包装: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 8.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 21 毫欧 @ 8.9A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 100µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1754pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2.35W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | 8-SO |
包装: | 剪切带 (CT) |
其它名称: | BSO303SPXTINCT |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MMZ0603F330C | FERRITE CHIP BEAD 33 OHM 0201 |
1623909-2 | TRIMMER 10K OHM 0.1W SMD |
170155J160ME | CAP FILM 1.5UF 160VDC AXIAL |
CSX-750PBCTR | OSC 3.3V PROG CMOS OE 100PPM |
1624116-3 | FERRITE CHIP 600 OHM 200MA 0603 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
BSO303SP H | 功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
BSO303SPH | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-P Power-Transistor |
BSO303SPHXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO |
BSO303SPHXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 7.2A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO |
BSO303SPNTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC |