型号: | BSO330N02K G |
厂商: | Infineon Technologies |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8 |
产品目录绘图: | Mosfets DSO-8 |
标准包装: | 1 |
系列: | OptiMOS™ |
FET 型: | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 5.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 30 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.2V @ 20µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 4.9nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 730pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1.4W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | PG-DSO-8 |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | BSO330N02K GINDKR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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