型号: | BSO4804 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 7/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BSO4804 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSO4804HUMA2 | 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 8A DSO8 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:2,500 |
BSO4804NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin DSO T/R |
BSO4804T | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:OptiMOS™ 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
BSO4822 | 功能描述:MOSFET OptiMOS Small-Signal Transistor N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
BSO4822HUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC |