| 型号: | BSO612CV |
| 厂商: | Infineon Technologies |
| 文件页数: | 3/5页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC |
| 产品变化通告: | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
| 标准包装: | 1 |
| 系列: | SIPMOS® |
| FET 型: | N 和 P 沟道 |
| FET 特点: | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 3A,2A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 120 毫欧 @ 3A,10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 20µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 15.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 340pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 2W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装: | P-DSO-8 |
| 包装: | 剪切带 (CT) |
| 其它名称: | BSO612CVINCT |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BSO215C | MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSO612CV G | 功能描述:MOSFET Dual N/P Channel 60 V 3 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSO612CVG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC |
| BSO612CVGHUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC |
| BSO612CVNT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin SO |
| BSO612CVT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin DSO T/R |