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参数资料
| 型号： | BSO615C G |
| 厂商： | Infineon Technologies |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SIPMOS® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.1A，2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 3.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 20µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | PG-DSO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BSO615CINDKR |
5
SY10H607
SY100H607
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
28-PIN PLCC (J28-1)
Rev. 03
MICREL, INC.
2180 FORTUNE DRIVE
SAN JOSE, CA 95131
USA
TEL
+ 1 (408) 944-0800 FAX + 1 (408) 474-1000 WEB http://www.micrel.com
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2006 Micrel, Incorporated.
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PDF描述 |
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