型号: | BSO615N G |
厂商: | Infineon Technologies |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC |
其它图纸: | SO-8 Dual |
标准包装: | 1 |
系列: | SIPMOS® |
FET 型: | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 2.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 150 毫欧 @ 2.6A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 20µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 380pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | PG-DSO-8 |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1619 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | BSO615NGINDKR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
JWL12RAA | SWITCH ROCKER SPDT 16A 125V |
M2023TXG30-DC | SWITCH ROCKER DPDT 0.4VA 28V |
445W31H14M31818 | CRYSTAL 14.318180 MHZ 32PF SMD |
B32653A3684J289 | FILM CAP 0.68UF 5% 250V MKP |
BSO207P H | MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
BSO615NGHUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 8-Pin SO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC |
BSO615NGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 2.6A 8PIN DSO - Cut TR (SOS) |
BSO615NNTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC |
BSO615NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 8-Pin SO T/R |
BSO615NV | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 3.1A 8-Pin SO |