型号: | BSP280 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 5/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BSP280 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSP295 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 1.8A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.8A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.1V ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 1.8A SOT223 |
BSP295 L6327 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SMALL SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
BSP295 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-223 |
BSP295_07 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor |
BSP295E6327 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |