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参数资料
| 型号： | BSR32 |
| 元件分类： | TVS-瞬态抑制二极管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 进步党中等功率晶体管 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | BSR32 |
1997 Apr 01
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP medium power transistors
BSR30; BSR31; BSR32; BSR33
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single sided copper, tinplated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
For other mounting conditions, see “Thermal considerations for the SOT89 in the General part of handbook SC04”
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
For other mounting conditions, see “Thermal considerations for the SOT89 in the General part of handbook SC04”
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSR30; BSR31
BSR32; BSR33
collector-emitter voltage
BSR30; BSR31
BSR32; BSR33
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
70
90
V
V
V
CEO
open base
65
65
60
80
5
1
2
200
1.4
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-s
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to soldering point
note 1
89
8
K/W
K/W
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PDF描述 |
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