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参数资料
| 型号： | BSS110 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 170 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封装： | PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | BSS110 |
1995 Apr 07
4
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSS110
Fig.2 Switching time test circuit.
handbook, halfpage
MLD189
50
ID
10 V
0
DD
Fig.3 Input and output waveforms.
handbook, halfpage
MBB690
10 %
90 %
90 %
10 %
ton
toff
OUTPUT
INPUT
Fig.4 Power derating curve.
handbook, halfpage
(W)
0
200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
MLD190
Tamb
o
50
100
150
δ
= 0.01.
T
amb
= 25
°
C.
(1) R
DSon
limitation.
Fig.5 DC SOAR.
handbook, halfpage
MLD193
tp =
10 ms
3
10
1
10
10
VDS(V)
ID
(mA)
2
10
2
1
tp
T
P
t
tp
T
δ
=
1 s
100
ms
DC
(1)
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