- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18806 > BSS138-7-F (Diodes Inc)MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BSS138-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Wire Change 16/Sept/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BSS138-FDIDKR |
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
Mechanical Data
?
?
?
?
?
?
?
?
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ?
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
?
?
?
?
?
?
Case: SOT23
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification
Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
Terminals: Matte Tin Finish annealed over Alloy 42 leadframe
(Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Weight: 0.008 grams (approximate)
Drain
SOT23
D
Gate
Source
G
S
Top View
Ordering Information (Note 4)
Equivalent Circuit
Top View
Part Number
BSS138 -7-F
BSS138Q -7-F
Qualification
Commercial
Automotive
Case
SOT23
SOT23
Packaging
3000/Tape & Reel
3000/Tape & Reel
Notes:
1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant
2. See http://www.diodes.com/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green"
and Lead-free.
3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and
<1000ppm antimony compounds.
4. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/products/packages.html
Marking Information
K38 = Product Type Marking Code
YM = Date Code Marking for SAT (Shanghai Assembly/ Test site)
Y ? M = Date Code Marking for CAT (Chengdu Assembly/ Test site)
Y or Y ? = Year (ex: A = 2013)
M = Month (ex: 9 = September)
Chengdu A/T Site
Date Code Key
Shanghai A/T Site
Year
Code
1998
J
1999
K
2000
L
2001
M
2002
N
2003
P
2004
R
…
…
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
2016
D
2017
E
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
BSS138
Document number: DS30144 Rev. 20 - 2
1 of 5
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R9G01422XX | RECTIFIER 1400V 2200A |
| QRC1230T30 | DIODE MOD FST DUL CC 1200V 149A |
| 9922-12BLU | LEAD PLUG STK BAN 2MM BLU 12" |
| MAX7044AKA+T | IC TRANSMITTER ASK SOT23-8 |
| 9922-12BLK | LEAD PLUG STK BAN 2MM BLK 12" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS138-7-F-31 | 制造商:DIODES 功能描述:N-Channel MOSEFT/ SOT-23(LEAD-FREE) |
| BSS138AKA | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.2A SOT-2 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.2A, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.2A, SOT-23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain |
| BSS138AKA/LF1R | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250A 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.51nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.06W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 |
| BSS138AKAR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250A 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.51nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:47pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300mW（Ta），1.06W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 |
| BSS138BK | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.36A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.36A, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.36A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:360mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.1V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。