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参数资料
| 型号： | BSS138-MR |
| 元件分类： | TVS-瞬态抑制二极管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | MOSFET的BSS138 MINIREEL 500件 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | BSS138-MR |
Electrical Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
I
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 250 μA
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V
50
V
Zero Gate Voltage Drain Current
0.5
μA
T
J
=125°C
5
μA
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
100
nA
I
GSSF
I
GSSR
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
Gate - Body Leakage, Forward
100
nA
Gate - Body Leakage, Reverse
-100
nA
V
GS(th)
R
DS(ON)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1 mA
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.22 A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 0.22 A
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.22 A
0.8
1.3
1.6
V
Static Drain-Source On-Resistance
0.81
3.5
1.16
6
g
FS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Forward Transconductance
0.12
0.45
S
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 1)
Input Capacitance
V
= 25 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
30
60
pF
Output Capacitance
15
25
pF
Reverse Transfer Capacitance
7.5
10
pF
t
D(on)
t
r
t
D(off)
t
f
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
Turn - On Delay Time
V
DD
= 30 V, I
D
= 0.29 A,
V
GS
= 10 V, R
GEN
= 50
8
ns
Turn - On Rise Time
12
ns
Turn - Off Delay Time
16
ns
Turn - Off Fall Time
22
ns
I
S
I
SM
V
SD
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%.
Maximum Continuous Source Current
0.22
A
Maximum Pulse Source Current
(Note 1)
0.88
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 0.44 A
0.8
1.4
V
BSS138 Rev. A1
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