型号: | BSS225 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 6/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BSS225 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BSS225 L6327 | 功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V .09A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
BSS225_11 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor |
BSS225H6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
BSS225H6327FTSA1 | 功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal 600V 45Ohm 90mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS(导通):4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel |
BSS225H6327XTSA1 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 欧姆 @ 90mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 94μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1,000 |