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参数资料
| 型号： | BSS63LT1 |
| 厂商： | 乐山无线电股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶体管（民进党硅） |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | BSS63LT1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS64L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BSS64R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BSS64 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BSS64 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
| BSS64LT1 | Driver Transistors(NPN Silicon) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS63LT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:High Voltage Transistor PNP |
| BSS63LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Transistor |
| BSS63LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 110V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS63LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -100V SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, SOT-23 |
| BSS63R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
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