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参数资料
| 型号： | BSS75 |
| 元件分类： | TVS-瞬态抑制二极管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|进步党| 250V五（巴西）总裁| 500mA的一（c）|至206AA |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | BSS75 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS75S | TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
| BSS78 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS79BL | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS79CL | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS80BL | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS75S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
| BSS76 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR |
| BSS7728 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor |
| BSS7728N | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| BSS7728N H6327 | 功能描述:MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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