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参数资料
| 型号： | BSS82CL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|进步党| 60V的五（巴西）总裁| 800mA的一（c）| SOT - 23封装 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | BSS82CL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BSS82CTC | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS83 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-143 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-143 |
| BSS83,215 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFET 10V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS83,235 | 功能描述:MOSFET Single N-Channel 10V 50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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