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参数资料
| 型号： | BST50; |
| 英文描述： | 7300 PDF4608 04/16/97 BST50; BST51; BST52NPN Darlington transistors |
| 中文描述： | 7300 PDF4608 04/16/97 BST50，BST51; BST52NPN达林顿晶体管 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | BST50; |
1999 Apr 26
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN Darlington transistors
BST50; BST51; BST52
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single sided copper, tinplated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
For other mounting conditions, see “Thermal considerations for SOT89 in the General Part of associated Handbook”.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BST50
BST51
BST52
collector-emitter voltage
BST50
BST51
BST52
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
base current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
60
80
90
V
V
V
V
CES
V
BE
= 0
65
65
45
60
80
5
0.5
1.5
100
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
mA
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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