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参数资料
| 型号： | BSX32 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | NPN switching transistor |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | BSX32 |
1997 May 28
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN switching transistor
BSX32
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
open emitter
open base
open collector
65
65
65
40
6
1
1
200
800
3.5
+150
200
+150
V
V
V
A
A
mA
mW
W
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C
T
case
≤
25
°
C
T
stg
T
j
T
amb
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-c
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to case
in free air
219
50
K/W
K/W
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