型号: | BT1308W-400D |
厂商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 4Q Triac |
中文描述: | 4Q双向可控硅 |
封装: | BT1308W-400D<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<Always Pb-free,;BT1308W-400D<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<Alwa |
文件页数: | 1/13页 |
文件大小: | 79K |
代理商: | BT1308W-400D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BT1308W-600D | 4Q Triac |
BT131-600D | 4Q Triac |
BT131-600E | 4Q Triac |
BT131-800D | 4Q Triac |
BT131-800E | 4Q Triac |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BT1308W-400D,115 | 功能描述:双向可控硅 Thyristor TRIAC 400V 10A 4-Pin (3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
BT1308W-400D,135 | 功能描述:双向可控硅 Thyristor TRIAC 400V 10A 4-Pin (3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
BT1308W-600D | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs logic level |
BT1308W-600D,115 | 功能描述:双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 10A 4-Pin (3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |
BT1308W-600D,135 | 功能描述:双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 10A 4-Pin (3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 开启状态 RMS 电流 (It RMS):16 A 不重复通态电流:120 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压: 保持电流(Ih 最大值):45 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):1.75 mA 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB |